在半导体产业的尖端竞技场上，台积电再次展现了其技术领先实力。据国际媒体报道，台积电2nm芯片的研发项目正有条不紊地向前推进，有望在这一关键工艺节点上拔得头筹。尤为引人注目的是，AMD已经成功完成了流片阶段，这一成就使得AMD在2nm芯片竞赛中领先于苹果与英特尔。 台积电2nm工艺节点的开发进程异常顺利，其在研发初期的缺陷率远低于3nm和7nm工艺在相应阶段的水平。据知情人士透露，目前该节点的芯片良率已经达到了与台积电成熟的5nm工艺相当的水准，并预计将于2025年第四季度全面进入量产阶段。 此次技术突破的核心在于台积电首次引入了GAAFET（全环绕栅极场效应晶体管）架构。相较于传统的FinFET架构，GAAFET架构中的晶体管采用了栅极材料完全包裹的纳米片结构，这一创新不仅大幅提高了晶体管的密度，还有效减少了漏电现象，进一步降低了功耗。这一架构的引入，标志着台积电在半导体制造领域取得了又一次重大飞跃。 在客户合作层面，AMD无疑成为了首批尝鲜者。AMD下一代代号为“Venice”的EPYC芯片已经顺利完成流片，预计将成为台积电2nm节点的首款产品。而苹果的iPhone 18和英特尔的Nova Lake CPU虽然也计划采用2nm技术，但上市时间预计会稍晚于AMD。 台积电的2nm工艺客户阵容堪称星光熠熠，包括苹果、AMD、英特尔、英伟达、高通、联发科以及博通等芯片设计巨头均已预订了产能。英伟达的Rubin GPU最初计划采用3nm工艺制造，但未来有望升级到更为先进的2nm工艺。 台积电董事长魏哲家透露，市场对2nm工艺的需求异常旺盛，其热度甚至超过了此前3nm工艺引发的抢购热潮。这一表态无疑进一步增强了业界对台积电2nm工艺未来市场表现的期待。 |
