中关村商情网讯：
SK海力士宣布，正在基于其321层堆叠4D NAND闪存的新一代UFS 4.1存储方案，将于2026年第一季度到来，可大大提升智能手机的存储性能。,SK海力士称，
这种新的存储芯片厚度只有区区0.85毫米，比之前238层堆叠的1.0毫米又缩小了15％，而且依然可以维持高达
4.3GB/s的最高持续读取速度。,这样的性能，已经超过了最好的PCIe 3.0 SSD。, ,同时，
随机读写性能分别提升了15％、40％，更适合手机这种频繁读写小文件的设备，但未透露具体数据。,能效方面，
SK海力士也宣称提升了7％，有利于延长续航，但也没有给出具体数据。,不过，堆叠层数上去了，总容量并没有变，
目前还是512GB、1TB。, |
